专利名称--【平面结构的锑化物二类超晶格红外探测器及其制备方法】

基本信息
申请号 CN201510615752.3 申请日 2015-09-24 公开(公开)号 CN106558633A 公开(公开)日 2017.04.05
申请(专利权)人 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请人地址 215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号
发明人 黄勇;熊敏 专利类型 发明专利
摘要 本发明公开了一种平面结构的锑化物二类超晶格红外探测器,其包括沿设定方向依次分布的下电极、InAs/GaSb或InAs/InAsSb超晶格吸收层、InAs/GaSb超晶格或GaSb或GaAsSb接触层以及上电极,并且于所述接触层内或所述接触层与超晶格吸收层内还局部分布有p型区域。本发明还公开了一种制作所述红外探测器的方法。本发明提供的锑化物超晶格红外探测器使用了平面结构,避免了常规台面结构中由于刻蚀产生的表面漏电流,有利于降低红外探测器的暗电流和噪声,并简化了锑化物二类超晶格红外探测器的制作工艺,同时本发明因采用了特殊设计的pin型探测器的能带结构和材料组合,还使得光生载流子的收集不受势垒阻挡,有效保证和提升了红外探测器的工作性能。
主权项 一种平面结构的锑化物二类超晶格红外探测器,其特征在于,包括沿设定方向依次分布的下电极、InAs/GaSb或InAs/InAsSb超晶格吸收层、InAs/GaSb超晶格或GaSb或GaAsSb接触层以及上电极,并且于所述接触层内或所述接触层与超晶格吸收层内还局部分布有p型区域。
IPC信息
IPC主分类号 H01L31/105(2006.01)I
IPC分类号 H01L31/105(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
法律状态信息
法律状态公告日 2017.10.24 法律状态 授权 法律状态信息 授权
法律状态公告日 2017.05.03 法律状态 实质审查的生效 法律状态信息 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/105 申请日:20150924
法律状态公告日 2017.04.05 法律状态 公开 法律状态信息 公开
代理信息
申请(专利权)人 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请人地址 215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号
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