| 基本信息 |
| 申请号 |
CN201510615752.3 |
申请日 |
2015-09-24 |
公开（公开）号 |
CN106558633A |
公开（公开）日 |
2017.04.05 |
| 申请（专利权）人 |
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
申请人地址 |
215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号 |
| 发明人 |
黄勇;熊敏 |
专利类型 |
发明专利 |
| 摘要 |
本发明公开了一种平面结构的锑化物二类超晶格红外探测器，其包括沿设定方向依次分布的下电极、InAs/GaSb或InAs/InAsSb超晶格吸收层、InAs/GaSb超晶格或GaSb或GaAsSb接触层以及上电极，并且于所述接触层内或所述接触层与超晶格吸收层内还局部分布有p型区域。本发明还公开了一种制作所述红外探测器的方法。本发明提供的锑化物超晶格红外探测器使用了平面结构，避免了常规台面结构中由于刻蚀产生的表面漏电流，有利于降低红外探测器的暗电流和噪声，并简化了锑化物二类超晶格红外探测器的制作工艺，同时本发明因采用了特殊设计的pin型探测器的能带结构和材料组合，还使得光生载流子的收集不受势垒阻挡，有效保证和提升了红外探测器的工作性能。 |
| 主权项 |
一种平面结构的锑化物二类超晶格红外探测器，其特征在于，包括沿设定方向依次分布的下电极、InAs/GaSb或InAs/InAsSb超晶格吸收层、InAs/GaSb超晶格或GaSb或GaAsSb接触层以及上电极，并且于所述接触层内或所述接触层与超晶格吸收层内还局部分布有p型区域。 |
| IPC信息 |
| IPC主分类号 |
H01L31/105(2006.01)I |
| IPC分类号 |
H01L31/105(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
京公网安备 11010802025494号