专利名称--【一种提高银纳米线透明导电膜导电性和透过率的方法】

基本信息
申请号 CN201610960164.8 申请日 2016-10-28 公开(公开)号 CN106548828A 公开(公开)日 2017.03.29
申请(专利权)人 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 申请人地址 315201 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号
发明人 宋伟杰;徐峰;许炜;沈文锋 专利类型 发明专利
摘要 本发明公开了一种提高银纳米线透明导电膜导电性和透过率的方法,通过在室温和常压下,使用特定浓度的季铵盐表面活性剂溶液浸泡银纳米线透明导电膜,去除银纳米线表面包覆的聚乙烯吡咯烷酮PVP,PVP去除后,由于银纳米线的高表面能,银纳米线之间的结点将会接触、自动融合焊接,使银纳米线之间的结电阻得到显著降低,从而在提高银纳米线透明导电膜导电性的同时,提高了其透过率,避免了传统高温高压焊接对银纳米线导电网络和基底的破坏。本发明方法操作简便、成本低廉,适合于大规模工业生产。
主权项 一种提高银纳米线透明导电膜导电性和透过率的方法,其特征在于包括以下步骤:(1)准备银纳米线透明导电膜,该银纳米线透明导电膜包括基底和设置在该基底单侧表面的银纳米线导电网络,该银纳米线导电网络由表面包覆有聚乙烯吡咯烷酮的银纳米线构成;将季铵盐表面活性剂溶解在溶剂中,配制得到浓度为0.0001~1?mol/L的季铵盐表面活性剂溶液;(2)将准备的银纳米线透明导电膜浸泡在配制的季铵盐表面活性剂溶液中,直至银纳米线表面包覆的聚乙烯吡咯烷酮得到去除;(3)从季铵盐表面活性剂溶液中取出银纳米线透明导电膜,用去离子水冲洗后干燥,即得到导电性和透过率提高的银纳米线透明导电膜。
IPC信息
IPC主分类号 H01B13/00(2006.01)I
IPC分类号 H01B13/00(2006.01)I;H01B1/02(2006.01)I
法律状态信息
法律状态公告日 2017.10.20 法律状态 授权 法律状态信息 授权
法律状态公告日 2017.04.26 法律状态 实质审查的生效 法律状态信息 实质审查的生效 IPC(主分类):H01B 13/00 申请日:20161028
法律状态公告日 2017.03.29 法律状态 公开 法律状态信息 公开
代理信息
申请(专利权)人 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 申请人地址 315201 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号
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