专利名称--【基于InP衬底的五结太阳能电池及其制备方法】

基本信息
申请号 CN201510312822.8 申请日 2015-06-09 公开(公开)号 CN106299011A 公开(公开)日 2017.01.04
申请(专利权)人 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请人地址 215123 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号
发明人 黄勇 专利类型 发明专利
摘要 本发明公开了一种基于InP衬底的五结太阳能电池,包括InP衬底,以及在所述InP衬底上依次设置的InGaAsP第一子电池、第一隧道结、InGaAsP第二子电池、第二隧道结、InGaAsP第三子电池、渐变缓冲层、第三隧道结、InGaP第四子电池、第四隧道结、InAlGaP第五子电池和InGaAs接触层。本发明还公开了如上五结太阳能电池的制备方法。本发明提供的五结太阳能电池前三结子电池与InP衬底晶格匹配,后两结In(Al)GaP子电池晶格异变,通过合理的带宽选择实现子电池间的电流匹配,从而达到较高的光电转换效率。
主权项 一种基于InP衬底的五结太阳能电池,其特征在于,包括InP衬底,还包括:在所述InP衬底上依次设置的InGaAsP第一子电池、第一隧道结、InGaAsP第二子电池、第二隧道结、InGaAsP第三子电池、渐变缓冲层、第三隧道结、InGaP第四子电池、第四隧道结、InAlGaP第五子电池和InGaAs接触层。
IPC信息
IPC主分类号 H01L31/0725(2012.01)I
IPC分类号 H01L31/0725(2012.01)I;H01L31/0328(2006.01)I
法律状态信息
法律状态公告日 2017.10.24 法律状态 授权 法律状态信息 授权
法律状态公告日 2017.02.01 法律状态 实质审查的生效 法律状态信息 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0725 申请日:20150609
法律状态公告日 2017.01.04 法律状态 公开 法律状态信息 公开
代理信息
申请(专利权)人 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 申请人地址 215123 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号
获取专利